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IRF640NSTRPBF的高清照片

IRF640NSTRPBF
IRF640NSTRPBF是IR的一款MOS管|IGBT|模塊,我司不但為您提供可靠的全新原裝IRF640NSTRPBF，還可提供IRF640NSTRPBF應(yīng)用資料、免費(fèi)樣品及產(chǎn)品研發(fā)技術(shù)支持！詳情可致電垂詢.
元件型號(hào)：IRF640NSTRPBF
元件品牌：IR
全新原裝正品保障，質(zhì)量是企業(yè)的生命！
采購(gòu)數(shù)量：
 

產(chǎn)品介紹

單 N 溝道 200 V 150 W 67 nC 功率 Mosfet 表面貼裝 - D2PAK-3

制造商零件編號(hào): IRF640NSPBF/IRF640NSTRPBF
安裝方法:  Surface Mount
封裝形式：  TO-263-3 (D2PAK)
包裝：  TUBE
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量:  50/800

產(chǎn)品亮點(diǎn)

  • Fet Type: N-Ch
  • No of Channels: 1
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:200 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.15 Ω
  • Rated Power Dissipation: 150 W
  • Qg Gate Charge: 67 nC
  • Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20 V
  • Drain Current: 18 A
  • Turn-on Delay Time: 10 ns
  • Turn-off Delay Time: 23 ns
  • Rise Time: 19 ns
  • Fall Time: 5.5 ns
  • Operating Temp Range: -55 to +175 °C
  • Gate Source Threshold: 4 V
  • Technology: Si
  • Height - Max: 4.83 mm
  • Length: 9.65 mm
  • Input Capacitance: 1160 pF
聯(lián)系方式

總 機(jī):0512-50710709
手 機(jī):15950933050
微信:15950933050
業(yè)務(wù)QQ:41086900
技術(shù)QQ:1723916736
E-mail:[email protected]

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