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IRFP4568PBF產(chǎn)品亮點(diǎn)

• Fet Type: N-Channel
• Drain-to-Source Voltage [Vdss]:150 V
• Drain-Source On Resistance-Max: 5.9 mΩ
• Qg Gate Charge: 151 nC
• Rated Power Dissipation: 517 W

IRFP4568PBF此產(chǎn)品不能運(yùn)往到歐洲。

與同類器件相比，IRFP4568PBF在RDS(on)方面所作出的改進(jìn)高達(dá)50%，無需工業(yè)應(yīng)用中通常使用的大型、昂貴封裝，有利于降低整體系統(tǒng)成本。此外，低RDS(on)實(shí)現(xiàn)了更低的傳導(dǎo)損耗和更高的系統(tǒng)效率。

IRFP4568PBF是一款N溝道、150 V MOSFET，具有171 A的額定電流，采用TO-247封裝，并具有5.9 Mohm的最大RDS(on)額定值。該器件達(dá)到工業(yè)級(jí)和一級(jí)潮濕敏感度（MSL1）標(biāo)準(zhǔn)。IRFP4568PBF是無鉛器件，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。