IRFZ24NPBF此產(chǎn)品不能運(yùn)往到歐洲。
IR的第五代HEXFET®MOSFET采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造,能夠?qū)崿F(xiàn)極低的硅導(dǎo)通電阻。這種優(yōu)勢(shì)加上快速的轉(zhuǎn)換速率和以堅(jiān)固耐用著稱的HEXFET功率MOSFET器件設(shè)計(jì),為設(shè)計(jì)人員提供了極其高效可靠、應(yīng)用廣泛的器件。
TO-220封裝是所有功耗水平約為50 W的工商業(yè)應(yīng)用的普遍首選。TO-220封裝具有低熱阻和低封裝成本,因此受到整個(gè)行業(yè)的廣泛認(rèn)可。
IRFZ24NPBF特性:
- 先進(jìn)的工藝技術(shù)
- 動(dòng)態(tài)dv/dt等級(jí)
- 175 °C 工作溫度
- 快速轉(zhuǎn)換
- 完備的雪崩測(cè)試
- 無(wú)鉛