SVF18N50F/T/PN/FJ N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。