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2SK3878 |
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2SK3878是TOSHIBA的一款MOS管|IGBT|模塊,我司不但為您提供可靠的全新原裝2SK3878,還可提供2SK3878應(yīng)用資料、免費(fèi)樣品及產(chǎn)品研發(fā)技術(shù)支持!詳情可致電垂詢. | 元件型號(hào):2SK3878(STA1,E,S) | 元件品牌:TOSHIBA | 封裝:TO3P | 參數(shù):9A 900V MOS管 |
全新原裝正品保障,質(zhì)量是企業(yè)的生命! |
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型號(hào):2SK3878(STA1,E,S) 商品目錄 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 類型 N溝道 漏源電壓(Vdss) 900V 連續(xù)漏極電流(Id) 9A 功率(Pd) 150W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1Ω@10V,4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id) 4V@1mA 柵極電荷(Qg@Vgs) 60nC@10V 輸入電容(Ciss@Vds) 2.2nF@25V 反向傳輸電容(Crss@Vds) 190pF@25V 工作溫度 -55℃~+150℃@(Tj) |
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