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SVD640T是士蘭微的一款18A 200V MOS管,昆山東森微電子有限公司為士蘭微一級(jí)代理,可提供技術(shù)支持及13%增票，常備SVD640T庫(kù)存. 18A、200V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
描述
SVD640T/D N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子的S-RinTM平面VDMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器，高壓.
H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
特點(diǎn)
◆18A，200V, Ros(on) (典型值) =0.129@Vcs=10V
◆低柵極電荷量
◆低反向傳輸電容
◆開(kāi)關(guān)速度快
◆提升了dv/dt 能力
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