Ultrahigh Threshold Voltage Depletion-Mode Power MOSFETPower MOSFET BVDSX:70V,VGS(off),max:-20V,IDSS,min:120mA 應(yīng)用優(yōu)勢: 1.DMZ0615E兼具供電和鉗位功能 2.1個(gè)器件替代原電路5個(gè)元器件: 3.節(jié)省焊點(diǎn)并提高組裝效率 4.節(jié)省電路空間 5.提高電路可靠性 6.降低電路成本 7.降低電路能耗(無齊納二極管損耗) 8.減小電容C6電容值及尺寸: 9.大幅減小C6采購成本
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