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SVD3205T:110A、55V N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
SVD3205T描述:
SVD3205T N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用士蘭微電子新的平面VDMOS工藝技術(shù)制造。SVD3205T先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。SVD3205T在應(yīng)用上，優(yōu)化了器件的寄生參數(shù)，增強(qiáng)了柵極抗干擾能力，易于并聯(lián)使用。 SVD3205T可廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。
SVD3205T特點(diǎn):
∗ 110A，55V，RDS(on)(典型值)=7.8mΩ@VGS=10V
∗ 低柵極電荷量
∗ 低反向傳輸電容
∗ 開(kāi)關(guān)速度快
∗ 提升了dv/dt能力 | 
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