描述
NCE7580采用先進(jìn)的溝槽式技術(shù)提供低導(dǎo)通電阻(Rdson)，低柵電荷，EAS高且穩(wěn)定性，一致性好。這種器件適合應(yīng)用在PWM，負(fù)載開關(guān)電路，UPS或其他的一些應(yīng)用中。
基本特性
● VDS=75V；ID=80A@ VGS=10V；
RDS(ON)<8mΩ @ VGS=10V
● 先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)
● 專門的設(shè)計(jì)保證電流轉(zhuǎn)化以及功率控制的應(yīng)用
● 為保證低導(dǎo)通電阻而特有的高單胞密度設(shè)計(jì)
● 較大的電流以及擊穿電壓余量
● 雪崩能量保證100%測(cè)試
應(yīng)用
●
功率轉(zhuǎn)換
●
硬開關(guān)以及高頻電路
●
不間斷電源（UPS）
封裝打標(biāo)和訂購(gòu)信息
器件打標(biāo) NCE7580
器件7580
器件封裝TO-220-3L
表 1. 工作條件（TA=25`C有特殊說(shuō)明除外）
參數(shù)
符號(hào)
極限值
單位
漏源電壓 (VGS=0V）
VDS
75
V
柵源電壓 (VDS=0V)
VGS
±25
V
漏極電流 (靜態(tài)) at Tc=25℃
ID (DC)
80
A
漏極電流 (靜態(tài)) at Tc=100℃
ID (DC)
78
A
漏極連續(xù)電流@脈沖電流 (注釋 1)
IDM (pluse)
320
A
二極管恢復(fù)電壓峰值
dv/dt
30
V/ns
最大功耗(Tc=25)℃
PD
170
W
降額因數(shù)
1.13
W/℃
單脈沖雪崩能量(注釋 2)
EAS
580
mJ
工作結(jié)溫以及存儲(chǔ)溫度范圍
TJ,TSTG
-55 To 175
℃
注釋 1. 脈沖寬度受限于最大結(jié)溫度
2. EAS 測(cè)試條件：Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V,L=0.3mH ,ID=62A; |
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